DRAM
Dinamička memorija s nasumičnim pristupom (engl. dynamic random-access memory; DRAM) vrsta je poluvodičke računarske memorije s nasumičnim pristupom u kojoj se svaki bit podataka pohranjuje u memorijskoj ćeliji koja se uobičajeno sastoji od jednog tranzistora i jednog kondenzatora.[1][2] Električni naboj pohranjen u kondenzatoru predstavlja binarnu vrijednost, ali se s vremenom gubi, pa se sadržaj memorije mora periodično obnavljati postupkom osvježavanja.[1][2] Zbog toga je DRAM nestalna memorija, odnosno gubi podatke nakon prekida napajanja.[1]
Zbog male površine memorijske ćelije i velike gustine pohrane DRAM je dugo bio osnovni oblik glavne memorije u računarima i drugim digitalnim uređajima, iako je sporiji od statičke memorije (SRAM), koja ne zahtijeva osvježavanje.[1][2]
Princip rada
[uredi | uredi izvor]Tipična DRAM ćelija radi tako što tranzistor omogućava pristup kondenzatoru, dok kondenzator zadržava električni naboj koji predstavlja jednu od dviju binarnih vrijednosti.[1] Pošto naboj postepeno curi, memorijski sistem mora u pravilnim razmacima ponovo očitati i upisati sadržaj redova memorije kako bi sačuvao podatke.[2] Upravo ta potreba za periodičnim osvježavanjem osnovna je osobina po kojoj se DRAM razlikuje od drugih vrsta RAM-a.[1]
Historija
[uredi | uredi izvor]Savremenu DRAM arhitekturu razvio je Robert H. Dennard u IBM-ovom istraživačkom centru Thomas J. Watson 1966. godine.[3][4] Njegovo rješenje, zasnovano na ćeliji s jednim tranzistorom i jednim kondenzatorom, omogućilo je znatno veću gustinu memorije od tadašnjih rješenja i postalo osnova za kasniji razvoj DRAM čipova.[3][5]
Dennardov patent za field-effect transistor memory prijavljen je 1967, a odobren 4. juna 1968. godine.[5] Taj izum smatra se jednim od ključnih koraka u prelasku s ranijih memorijskih tehnologija na gustu i relativno jeftinu integriranu memoriju velikog kapaciteta.[3]
Prednosti i nedostaci
[uredi | uredi izvor]Glavna prednost DRAM-a jest visoka gustina pohrane, odnosno mogućnost da se na maloj površini smjesti velik broj memorijskih ćelija.[1][2] Zbog toga je DRAM po cijeni po bitu povoljniji od SRAM-a i prikladan je za izgradnju velikih količina radne memorije.[2]
Njegovi glavni nedostaci jesu potreba za stalnim osvježavanjem i veća latencija u odnosu na SRAM.[2] Osvježavanje zauzima dio vremena memorijskog podsistema i utiče na potrošnju energije i ukupne performanse.[2]
Varijante
[uredi | uredi izvor]Tokom razvoja nastale su brojne varijante DRAM-a. Među najvažnijima su SDRAM (sinhrona dinamička memorija s nasumičnim pristupom), koja usklađuje rad memorije s taktom sistema, i DDR SDRAM, koja prenosi podatke na oba brida taktnog signala i tako povećava propusnost.[2]
Posebne izvedbe DRAM-a koriste se i u grafičkim karticama, mobilnim uređajima i drugim sistemima sa specifičnim zahtjevima za propusnošću, potrošnjom energije ili fizičkom ugradnjom.[2]
Upotreba
[uredi | uredi izvor]DRAM se prvenstveno koristi kao glavna radna memorija u personalnim računarima, serverima, radnim stanicama, pametnim telefonima i mnogim drugim digitalnim uređajima.[1][2] Zbog odnosa cijene, kapaciteta i performansi postao je standardna memorijska tehnologija za privremeno pohranjivanje podataka kojima procesor brzo pristupa tokom rada sistema.[1]
Također pogledajte
[uredi | uredi izvor]Reference
[uredi | uredi izvor]- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 "Dynamic random-access memory". Encyclopaedia Britannica. Pristupljeno 9. 3. 2026.
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 Jacob, Bruce; Ng, Spencer W.; Wang, David T. (2007). Memory Systems: Cache, DRAM, Disk. Morgan Kaufmann. ISBN 978-0-12-379751-3. Pristupljeno 9. 3. 2026.
- 1 2 3 "Dynamic random-access memory (DRAM)". IBM. 9. 8. 2017. Pristupljeno 9. 3. 2026.
- ↑ "Robert H. Dennard". Encyclopaedia Britannica. 22. 1. 2026. Pristupljeno 9. 3. 2026.
- 1 2 "US3387286A — Field-effect transistor memory". Google Patents. 4. 6. 1968. Pristupljeno 9. 3. 2026.