Indij galij arsenid

S Wikipedije, slobodne enciklopedije
Jump to navigation Jump to search

Indij galij arsenid (InGaAs) (alternativno galij indij arsenid) jeste trostruka legura (hemijski spoj) indija, galija i arsena. Indij i galij su are oba porijeklom iz borove grupe (grupa III) elemenata dok je arsen pniktogeni (grupa V) element. Prema tome legure sačinjene od ovih hemijskih grupa su nazvane kao "III-V" spojevi. Zbog toga što su u istoj grupi, indij i galij imaju slične uloge u hemijskom vezivanju. InGaAs se smatra legurom galij arsenida i indij arsenida sa osobinama prijelazno između to dvoje u zavisnosti od proporcije galija i indija. InGaAs je poluprovodnik sa primjenom u elektronici i optoelektronici.

Nomenklatura[uredi | uredi izvor]

Indij galij arsenid je popularna oznaka za galij-indij arsenid (GaInAs). InGaAs je direktna bandgap, pseudo-binarna legura sastavljena od III-V poluprovodička materijala (GaAs)X i (InAs)1-X. Legura je sklona miješanju u cijelom kompozicionom rasponu od GaAs (bandgap = 1.42 eV at 300 K) do InAs (bandgap = 0.34 eV na 300 K).[1]

Saglasno sa IUPAC standardima[2] preferirana nomenklatura za leguru je In1-XGaXAs gdje se elementi iz grupe-III pojavljuju redom kako se povećava atomski broj, kao i u srodnom sistemu legure AlXGa1-XAs.

Energetska pukotina naspram galijeve kompozicije za GaInAs


Reference[uredi | uredi izvor]

  1. ^ John C. Woolley, Mathew B. Thomas, Alan G. Thompson. "Optical energy gap variation in GaxIn1−x As alloys". Nrcresearchpress.com. Pristupljeno 2013-12-02. 
  2. ^ John C. Woolley, Mathew B. Thomas, Alan G. Thompson. "Optical energy gap variation in GaxIn1−x As alloys". Nrcresearchpress.com. Pristupljeno 2013-12-02.