Intrinzično svojstvo

Logo Wikirječnika

Potražite ekstrinzični na Wikirječniku, slobodnom rječniku.

U nauci i inženjerstvu, intrinzično svojstvo je svojstvo određenog subjekta koje postoji samo po sebi ili unutar subjekta. Ekstrinzično svojstvo nije bitno ili inherentno subjektu koji se karakterizira. Naprimjer, masa je intrinzično svojstvo bilo kojeg fizičkog objekta, dok je težina ekstrinzično svojstvo koje zavisi od jačine gravitacijskog polja u kojem se objekt nalazi.

Primjena u nauci i inženjerstvu

U nauci o materijalima, intrinzično svojstvo je nezavisno od toga koliko je materijala prisutno i nezavisno je od oblika materijala, npr. jedan veliki komad ili skup malih čestica. Unutrašnja svojstva uglavnom zavise od fundamentalnog hemijskog sastava i osnovestrukture materijala.^[1] Vanjska svojstva se razlikuju po tome što zavise od prisustva hemijskih zagađivača ili strukturnih defekata koje je moguće izbjeći.^[2]

U biologiji, intrinzični efekti potiču iz unutrašnjosti organizma ili ćelije, kao što je autoimunska bolest ili urođena imunost.

U elektronici i optici, intrinzična svojstva uređaja (ili sistema uređaja) su uglavnom ona koja su oslobođena uticaja različitih vrsta nebitnih defekata.^[3] Takvi nedostaci mogu nastati kao posljedica nesavršenosti dizajna, grešaka u proizvodnji ili ekstremnih operativnih uslova i mogu proizvesti karakteristična i često neželjena vanjska svojstva. Identifikacija, optimizacija i kontrola i unutrašnjih i vanjskih svojstava spadaju među inženjerske zadatke neophodne za postizanje visokih performansi i pouzdanosti modernih električnih i optičkih sistema.^[4]

Također pogledajte

Intenzivna i ekstenzivna svojstva
Motivacija

Reference

↑ Food and Packaging Engineering (IFNHH, Massey University, NZ)
↑ Mishra, Umesh and Singh, Jasprit, Chapter 1: Structural Properties of Semiconductors. In: Semiconductor Device Physics and Design, 2008, Pages 1-27, doi:10.1007/978-1-4020-6481-4, ISBN 978-1-4020-6481-4
↑ Sune, Jordi and Wu, Ernest Y., Chapter 16: Defects Associated with Dielectric Breakdown in SiO2-Based Gate Dielectrics. In: Defects in Microelectronic Materials and Devices (Edited by Fleetwood, Daniel and Schrimpf, Ronald), 2008, Pages 465-496, doi:10.1201/9781420043778, ISBN 9781420043778
↑ Ueda, Osamu and Pearton, Stephen J. editors, Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Optical and Electron Devices, 2013, doi:10.1007/978-1-4614-4337-7, ISBN 978-1-4614-4337-7

[1] Food and Packaging Engineering (IFNHH, Massey University, NZ)

[2] Mishra, Umesh and Singh, Jasprit, Chapter 1: Structural Properties of Semiconductors. In: Semiconductor Device Physics and Design, 2008, Pages 1-27, doi:10.1007/978-1-4020-6481-4, ISBN 978-1-4020-6481-4

[3] Sune, Jordi and Wu, Ernest Y., Chapter 16: Defects Associated with Dielectric Breakdown in SiO2-Based Gate Dielectrics. In: Defects in Microelectronic Materials and Devices (Edited by Fleetwood, Daniel and Schrimpf, Ronald), 2008, Pages 465-496, doi:10.1201/9781420043778, ISBN 9781420043778

[4] Ueda, Osamu and Pearton, Stephen J. editors, Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Optical and Electron Devices, 2013, doi:10.1007/978-1-4614-4337-7, ISBN 978-1-4614-4337-7

[1]

[2]

[3]

[4]