Bor-fosfid

S Wikipedije, slobodne enciklopedije
Jump to navigation Jump to search
Bor-fosfid
Boron-phosphide-unit-cell-1963-CM-3D-balls.png
Općenito
Hemijski spoj Bor-fosfid
Druga imena Bor-monofosfid
Molekularna formula BP
CAS registarski broj 20205-91-8
Kratki opis Bordo prah
Osobine1
Molarna masa 41,7855 g/mol
Agregatno stanje Čvrsto
Gustoća 2,90 g/cm3
Tačka topljenja 1100
Rizičnost
NFPA 704
NFPA 704.svg
0
0
0
 
1 Gdje god je moguće korištene su SI jedinice. Ako nije drugačije naznačeno, dati podaci vrijede pri standardnim uslovima.

Bor-fosfid (BP) – poznat i kao bor-monofosfid – za razliku od bor-supfosfida, B12P2), je hemijski spoj bora i fosfora. Ovaj spoj je poluvodič.[1]

Historija[uredi | uredi izvor]

Prve kristale bor-fosfida je sintetizirao Henri Moissanu, još u 1891.[2]

Izgled[uredi | uredi izvor]

Čisti BP je skoro prozirantran, n-tip kristala je narandžasto-crven, dok ja p-tip tamno crven[3]

Hemijska i fizička svojstva[uredi | uredi izvor]

Od hemijskih osobina dokazano je da ni kiseline, ni alkalni rastvori u ključaloj vodi ne razlažu BP. Podložan je samo rastopljenim alkalima.[3]

Od fizičkih obilježja BP poznata su:[3]

  • konstanta rešetke: 0,45383 nm
  • koeficijent toplotnog širenja: 3,65×10−6 /°C (400 K)
  • toplotni kapacitet: CP ~ 0,8 J/(g·K) (300 K)
  • Debyeva temperatura: 985 K
  • Bulkov modul: 152 GPa
  • reativna visina mikročvrstoće: 32 GPa (100 g).
  • pokretljivost elektrona i gepova: od nekoliko stotina cm2/(V·s) (do 500 za rupe na 300 K)

Također pogledajte[uredi | uredi izvor]

Reference[uredi | uredi izvor]

  1. ^ Popper, P.; Ingles, T. A. (1957). "Boron Phosphide, a III–V Compound of Zinc-Blende Structure". Nature 179: 1075. doi:10.1038/1791075a0. 
  2. ^ Moissan, H. (1891). "Préparation et Propriétés des Phosphures de Bore". Comptes Rendus 113: 726–729. 
  3. ^ a b c Berger, L. I. (1996). Semiconductor Materials. CRC Press. str. 116. ISBN 978-0-8493-8912-2. 

Dopunska literetura[uredi | uredi izvor]

  • King, R. B., ur. (1999). Boron Chemistry at the Millennium. Elsevier Science & Technology. ISBN 0-444-72006-5. 
  • US patent 6831304, Takashi, U., "P-N Junction Type Boron Phosphide-Based Semiconductor Light-Emitting Device and Production Method thereof", izdan 2004-12-14, dodijeljen Showa Denko 
  • Stone, B.; Hill, D. (1960). "Semiconducting Properties of Cubic Boron Phosphide". Physical Review Letters 4 (6): 282–284. doi:10.1103/PhysRevLett.4.282. 

Vanjski linkovi[uredi | uredi izvor]