Indij-fosfid

S Wikipedije, slobodne enciklopedije
Idi na: navigaciju, pretragu
Indij-fosfid
InPcrystal.jpg
Boron-phosphide-unit-cell-1963-CM-3D-balls.png
Općenito
Hemijski spoj Indij-fosfid
Druga imena Indij(III) fosfid
Molekularna formula InP
CAS registarski broj 22398-80-7
SMILES [In]#P
InChI 1/In.P/rInP/c1-2
Kratki opis Crni tetraedno-kubni kristali
Osobine1
Molarna masa 145,792 g/mol
Agregatno stanje Čvrsto
Gustoća 481 g/cm3, čvrsti
Tačka topljenja 1.062
Rastvorljivost Blago rastvorljiv u kiselinama
Rizičnost
NFPA 704
NFPA 704.svg
0
0
0
 
1 Gdje god je moguće korištene su SI jedinice. Ako nije drugačije naznačeno, dati podaci vrijede pri standardnim uslovima.

Indij-fosfid (InP) je binarni poluvodič koji se sastoji se od po jednog atoma indija i fosfora. Ima prednju centriranu kubnu kristalnu strukturu. Kristalna struktura je istovjetna onoj za galij arsenid (GaAs), a i većine III-V poluvodiča.[1]

Proizvodnja[uredi | uredi izvor]

Indij-osfidna nanokristalna površina dobijena elektrokemijskim nagrizanjem i promatrana pod skenirajućim elektronskim mikroskopom.
(Vještački obojena)

Indij-fosfid se može dobiti u reakciji bijelog fosfora i indij-jodida na 400 °C.,[2] a također i direktnom kombinacijom prečišćenih elemenata, pri visokim temperaturama i pritiscima ili toplotnom razgradnjom mješavine trialkil indij spoja i fosfina.[3]

Upotreba[uredi | uredi izvor]

InP se koristi u visokosnažnoj i visokofrekventnoj elektronici, zbog svoje superiorne brzine elektrona u odnosu na uobičajene poluvodiče silicija i galij arsenida. Korišten je s indij galij arsenidom da bi se napravio rekordni pseudomorfni cijni bipolarni tranzistor koji bi mogao djelovati na 604 GHz.[4] Također ima direktni prekid trake, što je korisno za optoelektroniku uređaje kao što su laserske diode.

InP se također koristi kao supstrat za epitaksijskii indij galij arsenid u uređajima koji počivaju na opto-elektronici.

Hemija[uredi | uredi izvor]

Indij fosfid ima jedan od najdugovječnijih optičkih fotona bilo kojeg spoja s cink blendnom kristalnom strukturom[5]

Također pogledajte[uredi | uredi izvor]

Reference[uredi | uredi izvor]

  1. ^ Lide D. R. (1998). Handbook of Chemistry and Physics (87 iz.). Boca Raton, FL: CRC Press. str. 5–20. ISBN 0-8493-0594-2. 
  2. ^ Indium Phosphide at HSDB
  3. ^ InP manufacture
  4. ^ Indium Phosphide and Indium Gallium Arsenide Help Break 600 Gigahertz Speed Barrier. 2005
  5. ^ Bouarissa, Nadir (July 2011). "Phonons and related crystal properties in indium phosphide under pressure". Physica B: Condensed Matter 406 (13): 2583–2587. doi:10.1016/j.physb.2011.03.073. Pristupljeno 22 March 2013. 

Vanjski linkovi[uredi | uredi izvor]